MEMS 공부

최근 5G 및 밀리미터파(mmWave) 통신 기술의 발전으로 인해 위상 배열 시스템(Phased Array System)에 대한 관심이 높아지고 있습니다. 이러한 시스템에서 핵심적인 역할을 하는 위상 시프터(Phase Shifter)는 신호 위상을 조정하여 빔 조향(Beam Steering)을 가능하게 합니다. 본 논문에서는 E-밴드(70–86GHz)에서 동작하는 RF MEMS 기반 차동 반사형 위상 시프터(Differential Reflection-Type Phase Shifter, RTPS)의 설계 및 최적화 방법을 제시합니다.설계 및 최적화1. 차동 반사형 위상 시프터 개념위상 시프터는 일반적으로 90도 분배기(Quadrature Coupler)와 반사형 부하(Reflective Loads)로 구성..

1. 개요본 연구는 고저항 실리콘(HR-Si)을 기반으로 한 테라헤르츠(THz) 주파수 대역용 MEMS 슬롯 도파관의 설계, 시뮬레이션 및 실험적 특성 분석을 수행하였다. 해당 도파관은 강력한 전자기장 구속 효과를 제공하며, MEMS 기반 위상 조절 기능을 가능하게 한다.2. 슬롯 도파관 설계HR-Si 기반 도파관 구조고저항 실리콘(HR-Si)(저항값 10 kΩ·cm 이상)을 사용하여 250 GHz~270 THz의 넓은 투과성을 확보함.슬롯은 두 개의 실리콘 빔 사이에 위치하여 전기장의 강한 구속을 유도함.주요 설계 변수슬롯 폭 (s): 전기장의 구속 효과 결정빔 폭 (w): 유효 모드 인덱스 및 손실에 영향메타물질 기반 지지 구조: 구조적 안정성을 제공하며, 불필요한 전파 손실 방지메타물질 지지 구조슬..

개요본 논문에서는 2.4GHz MEMS 기반 발진기를 설계하여, 동적 셀프 바디 바이어스(Self-Body-Biasing) 기법과 달링턴 셀(Darlington Cell)을 활용하여 성능을 개선하는 방법을 제시한다. 기존 CMOS 기반 발진기에 비해 짧은 시작 시간(startup time), 낮은 위상 잡음(phase noise), 저전력 소모를 달성하는 것이 주요 목표이다.핵심 기술 및 기여점1. Gm-Boosting 콜피츠(Colpitts) 발진기 구조Gm-Boosting 기법을 활용하여 음의 컨덕턴스(negative transconductance)를 증폭함으로써 빠른 시작 시간을 달성함.달링턴 셀(Darlington Cell)을 도입하여 저전압 환경에서도 안정적인 발진을 유지하도록 설계.2. 동적 ..